时间：2025/12/28 1:06:45
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FHT5401-ME是一款由富芯微电子（FuXin Microelectronics）推出的高性能、低功耗霍尔效应传感器，广泛应用于位置检测、速度测量和电流感应等场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备高灵敏度、高稳定性和良好的温度特性，能够在恶劣的工业环境中可靠工作。FHT5401-ME集成了霍尔传感元件、信号放大器、施密特触发器以及输出驱动电路，实现了对磁场变化的精确感知与数字信号输出。其内部设计优化了噪声抑制能力，有效避免了因外部干扰导致的误触发，提升了系统的整体可靠性。该器件支持单极或双极磁感应模式，用户可根据实际应用需求灵活配置。FHT5401-ME采用小型化SOT-23或TSOT-23封装，便于在空间受限的应用中进行布局，并具有良好的散热性能和机械强度。此外，该芯片工作电压范围宽，典型值为2.7V至5.5V，适用于电池供电设备及工业控制系统等多种电源环境。内置反向电压保护和过温保护功能，进一步增强了器件在复杂电气环境下的耐用性。
型号：FHT5401-ME
封装类型：TSOT-23
工作电压：2.7V ~ 5.5V
工作电流：典型值4.5mA
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
输出类型：开漏输出（Open-Drain）
感应方向：垂直于封装表面
磁感应强度阈值：BOP（动作点）典型值3.5mT
BRP（释放点）典型值1.8mT
迟滞磁场：约1.7mT
响应时间：典型值25μs
静电防护（ESD）：±4kV（HBM）
FHT5401-ME的核心特性之一是其高精度磁场检测能力，得益于集成的霍尔探头与低噪声前置放大器设计，能够实现对微弱磁场信号的稳定捕捉。该芯片采用了动态偏移消除技术，显著降低了由于温度漂移或机械应力引起的输出误差，确保在-40°C至+125°C宽温范围内仍保持优异的测量一致性。其内置的施密特触发器提供了约1.7mT的磁滞，有效防止了在临界磁场强度附近出现的输出振荡现象，提高了系统响应的稳定性。
另一个关键特性是低功耗设计。FHT5401-ME在正常工作状态下仅消耗约4.5mA电流，同时支持快速唤醒机制，从待机状态到完全响应的时间小于30μs，非常适合用于电池供电的便携式设备或需要长时间运行的物联网终端。其开漏输出结构允许与多种逻辑电平兼容，便于连接微控制器或其他数字处理单元，简化了外围电路设计。
该器件还具备出色的抗干扰能力。通过片上滤波电路和差分信号处理技术，FHT5401-ME能有效抑制共模噪声和高频干扰，确保在电机控制、汽车电子等电磁环境复杂的场合下稳定运行。此外，芯片集成了反向电压保护和热关断功能，在电源接反或环境温度过高时自动切断输出，避免器件损坏，提升了系统的安全性和使用寿命。
FHT5401-ME广泛应用于多个领域，尤其适合需要非接触式位置检测的场合。在消费电子中，它可用于笔记本电脑翻盖检测、智能手表表盖感应以及无线耳机盒盖检测，提供可靠的开关信号。在工业自动化领域，该传感器常被用于旋转编码器、液位检测开关和阀门位置监控，实现设备状态的实时反馈。
在汽车电子方面，FHT5401-ME可用于车门开闭检测、座椅位置识别、油门踏板角度感应以及ABS轮速检测等应用场景。其高可靠性和宽温工作能力满足AEC-Q100标准要求，适应车载环境中的振动、湿热和电磁干扰挑战。
此外，该芯片还可用于无刷直流电机（BLDC）的换相控制，通过检测转子位置来精确控制相电流切换时机，提升电机效率与运行平稳性。在智能家居系统中，也可用于门窗磁传感器、智能水表/气表计数模块，实现远程数据采集与状态监控。凭借其小型化封装和高集成度，FHT5401-ME成为现代智能感知系统中的理想选择。
SS41F-T2
OH3144E
ME5401
CH441K
