类型：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：-24V
　　集电极-基极电压（VCBO）：-24V
　　发射极-基极电压（VEBO）：-5V
　　集电极电流（IC）：-300mA
　　功率耗散（Ptot）：250mW
　　直流电流增益（hFE）：100 至 400（典型值）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

UFZ24N-F作为一款高性能的PNP型小信号晶体管，在电气性能方面表现出色，具备较高的直流电流增益和优异的频率响应能力。其典型的hFE值在100到400之间，确保了在不同偏置条件下都能实现稳定的电流放大功能，特别适用于低功耗信号处理电路中的增益级设计。
　　该器件的过渡频率高达200MHz，意味着它可以在高频开关应用中有效工作，如射频前端模块、脉冲调制电路以及数字逻辑驱动器等场合。这种高频特性使得UFZ24N-F不仅限于传统的音频放大或直流控制用途，还能胜任更高频率下的信号切换任务。
　　热性能方面，UFZ24N-F的最大总功耗为250mW，在适当的散热条件下能够持续运行而不会发生热失效。其SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化内部引线结构和材料选择，实现了良好的热传导路径，有助于将热量从芯片传递至PCB焊盘上进行散发。
　　可靠性是UFZ24N-F的重要优势之一。该器件经过严格的制造工艺控制和老化测试，具有较低的失效率和长期稳定性。同时，其反向漏电流（ICEO）非常小，通常在微安级别以下，从而减少了待机状态下的能耗，提升了系统的整体能效表现。
　　此外，UFZ24N-F支持与多种NPN型号配对使用，形成互补的推挽输出结构，广泛用于功率放大器、电平转换器和H桥驱动电路中。其电气参数匹配性好，便于电路设计人员进行标准化布局和批量选型。综合来看，UFZ24N-F是一款兼具高性能、高可靠性和环保特性的现代小信号晶体管解决方案。

UFZ24N-F因其优异的小信号放大能力和快速开关特性，被广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，常用于手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理电路、LED驱动电路以及音频前置放大器中，发挥信号调理和电流控制的作用。
　　在工业控制系统中，该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动接口和光耦合器输出级，实现微弱信号的有效增强和执行机构的精确控制。由于其具备一定的负载驱动能力，也常被用作逻辑门电路之间的缓冲级或电平移位元件。
　　在通信设备中，UFZ24N-F适用于低噪声放大器（LNA）、射频开关和调制解调电路，尤其是在UHF频段以下的应用中表现良好。其200MHz的过渡频率足以应对大多数无线模块的数据传输需求。
　　此外，在汽车电子系统中，尽管其电压等级不属于高压范畴，但仍可用于车内信息娱乐系统、车载照明控制和车身电子模块中，承担小功率开关或信号切换功能。配合合适的保护电路，可在较宽温度范围内可靠运行。
　　由于其SOT-23封装尺寸小、重量轻且适合回流焊工艺，UFZ24N-F特别适用于高密度印刷电路板（PCB）设计，有助于缩小终端产品体积并提高组装效率。因此，在追求小型化和高集成度的现代电子产品设计中，UFZ24N-F是一个理想的选择。

MMBT3906, FMMT718, BC857B, KSP2907A