FHP5N65 时间：2025/12/28 1:15:34 阅读：18

FHP5N65是一款由富满微电子集团股份有限公司（FMEX Microelectronics）生产的高压MOSFET功率晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率开关电源应用设计，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于多种电源转换场合。FHP5N65采用TO-220或TO-220F封装形式，具备良好的热稳定性和机械强度，适合在工业级温度范围内可靠工作。该MOSFET的漏源击穿电压高达650V，能够承受瞬态高压冲击，适用于离线式开关电源、AC-DC转换器以及其他需要高压隔离和高效能转换的系统中。其栅极阈值电压适中，便于驱动电路设计，同时具备较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提高整体电源效率。
　　FHP5N65广泛应用于节能灯具、适配器、充电器、小型家电电源模块等领域。作为国产高性能MOSFET的代表之一，它在性价比方面表现出色，能够替代部分进口型号，在国内电子产品制造中得到了广泛应用。该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的趋势。此外，FHP5N65内部结构优化，具有一定的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的自我保护，提升了系统的可靠性与安全性。

参数

型号：FHP5N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220/TO-220F
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.2Ω（@Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：120pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

特性

FHP5N65具备优异的电气性能和稳定性，其最大漏源电压可达650V，确保在高压环境下仍能安全运行，特别适用于宽电压输入范围的开关电源设计。该器件的导通电阻较低，在Vgs=10V时典型值为2.2Ω，这有助于减少导通期间的能量损耗，提升电源系统的整体效率。同时，较低的Rds(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，有利于简化散热设计，降低系统成本。
　　该MOSFET具有良好的开关特性，输入电容和输出电容较小，配合快速的栅极响应能力，使其在高频开关应用中表现良好。其反向恢复时间短，约为30ns，有效降低了与体二极管相关的开关损耗，尤其在硬开关拓扑如反激式变换器中优势明显。此外，FHP5N65的栅极阈值电压范围合理（2~4V），兼容常见的PWM控制芯片输出电平，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，简化了外围设计。
　　在可靠性方面，FHP5N65经过严格的质量控制流程，具备较强的抗静电能力和高温工作稳定性。器件采用先进的平面工艺制造，结温最高可达150℃，保证在恶劣工作环境下的长期可靠性。同时，其封装形式为标准TO-220，便于安装散热片，提升功率承载能力。该器件还具备一定的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收部分能量，防止器件因电压尖峰而损坏，从而增强整个电源系统的鲁棒性。这些综合特性使得FHP5N65成为中小功率电源产品中的理想选择。

应用

FHP5N65广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其是在交流转直流（AC-DC）电源适配器、手机充电器、LED照明驱动电源、家用电器内置电源模块等场景中表现突出。由于其具备650V的高耐压能力，非常适合用于全球通用输入电压（85V~265V AC）的离线式反激变换器拓扑结构中，作为主开关管使用。在这种应用中，FHP5N65能够高效地完成能量传递任务，同时保持较低的温升和较高的转换效率。
　　此外，该器件也常用于低功率DC-DC变换器、待机电源（standby power supply）、电机控制电路以及UPS不间断电源等设备中。在LED恒流驱动方案中，FHP5N65可用于隔离式或非隔离式拓扑，实现稳定的电流输出。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高调光精度和系统响应速度。在工业控制领域，该MOSFET可用于小型继电器驱动、电磁阀控制等需要高压隔离和快速响应的场合。
　　得益于其良好的性价比和稳定的供货能力，FHP5N65在国内电子制造业中被大量采用，特别是在消费类电子产品中替代国际品牌器件。其符合环保标准的设计也满足出口产品的法规要求。无论是批量生产还是原型开发，FHP5N65都提供了可靠的性能保障，是工程师在进行中高压功率设计时的重要选择之一。