时间：2025/12/28 0:39:02
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FHF20N60是一款由富满微电子集团股份有限公司（FM Microelectronics）推出的高压超结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）功率晶体管，采用先进的平面工艺技术和超结结构设计，适用于高效率、高频率的开关电源应用。该器件的命名规则中，“FHF”代表系列标识，“20”表示其在25°C下的典型漏极电流能力，而“N60”则表明其为N沟道增强型MOSFET，且具备600V的额定漏源击穿电压（BVDSS）。FHF20N60广泛应用于AC-DC开关电源、LED恒流驱动电源、PFC（功率因数校正）电路、逆变器以及各类工业电源系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，在节能与小型化设计方面表现优异。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能和可靠性，符合RoHS环保要求，并通过了相关安规认证，适合在工业级温度范围内稳定运行。由于其优异的动态参数和抗雪崩能力，FHF20N60在面对瞬态过压和负载突变等复杂工况时仍能保持稳定的性能输出，是中等功率段电源设计中的优选器件之一。
型号：FHF20N60
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：20A
脉冲漏极电流（ IDM）：80A
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V）：≤0.18Ω
导通电阻（RDS(on) @ VGS=15V）：≤0.15Ω
阈值电压（Vth）：2.0~4.0V
输入电容（Ciss）：1700pF @ VDS=25V
输出电容（Coss）：150pF @ VDS=25V
反向传输电容（Crss）：25pF @ VDS=25V
栅极电荷（Qg）：65nC @ VGS=10V
体二极管反向恢复时间（trr）：55ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220/TO-220F
FHF20N60采用了先进的超结（Super Junction）技术，这种结构通过交替排列P型和N型掺杂区域，显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时维持了高达600V的漏源击穿电压。这使得它在保持高耐压能力的同时实现了更低的能量损耗，从而提高了整体电源转换效率。该MOSFET具备出色的开关特性，其输入电容Ciss和反向传输电容Crss均经过优化，有效减少了开关过程中的驱动损耗和米勒效应，提升了高频工作的稳定性。此外，较低的栅极电荷Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于简化驱动设计并降低控制器负担。器件的体二极管具有较短的反向恢复时间trr（约55ns），可减少在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的可靠性和安全性。
在热管理方面，FHF20N60基于TO-220封装设计，具备优良的热传导路径，能够将芯片产生的热量快速传递至外部散热器，确保长时间高负载运行下的结温控制在安全范围内。其最大结温可达150°C，并支持宽范围的工作环境温度，适用于各种严苛的工业应用场景。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。此外，该MOSFET符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保和可持续发展的需求。由于其高度集成的设计和成熟的制造工艺，FHF20N60在批量生产中具有一致性和高良率，便于大规模应用。
FHF20N60主要应用于需要高电压、高效率和高频率开关特性的电力电子系统中。典型应用包括各类AC-DC开关电源，如适配器、充电器、服务器电源等，尤其适用于连续导通模式（CCM）或临界导通模式（BCM）下的PFC升压变换器，作为主开关管使用，以实现接近1的功率因数和低总谐波失真（THD）。在LED照明驱动领域，特别是大功率户外LED路灯、工业照明及景观照明电源中，FHF20N60可用于隔离式反激（Flyback）、正激（Forward）或LLC谐振拓扑结构中，提供高效稳定的能量转换。此外，该器件也适用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、电动工具电源模块以及小型光伏逆变系统等新能源和工业控制设备。由于其具备良好的动态响应能力和热稳定性，FHF20N60还可用于电机驱动中的辅助电源或高压侧开关控制环节。在消费类电子产品中，如电视、显示器等内置电源板中也有广泛应用。得益于其紧凑的TO-220封装和无需额外绝缘垫片即可安装于散热片的特点，FHF20N60有助于简化结构设计、降低成本并提高整机功率密度。
KIA20N60, FQP20N60, STF20N60, G20N60B, HGTG20N60B3
