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FHD70-E 发布时间 时间:2025/12/28 0:43:06 查看 阅读:19

FHD70-E是一款由Vishay Semiconductors生产的高速、高电压光耦合器,广泛应用于需要电气隔离的工业控制、电源管理和通信系统中。该器件采用DIP-8封装,内部集成了一个砷化铝镓(AlGaAs)红外发光二极管和一个集成有高增益光电探测器的CMOS输出级。其设计旨在实现输入与输出之间的高隔离电压能力,同时提供快速的信号传输响应,适用于数字和模拟信号隔离场景。FHD70-E具备优良的共模瞬态抗扰度(CMTI),能够在高噪声环境中稳定工作,确保信号完整性。该光耦支持宽温度范围工作,适合在恶劣工业环境下长期运行。此外,其低输入驱动电流需求使其能与标准逻辑电路直接接口,简化了系统设计并降低了功耗。

参数

类型:光耦合器
  通道数:1
  封装形式:DIP-8
  隔离电压:5000 VRMS
  工作温度范围:-40°C ~ +110°C
  最大数据速率:10 MBd
  正向电压(VF):典型值1.25 V
  反向电压(VR):5 V
  集电极-发射极电压(VCEO):70 V
  输入电流(IF):最大50 mA
  上升时间(tr):典型值35 ns
  下降时间(tf):典型值35 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):±15 kV/μs
  绝缘电阻:最小10^11 Ω

特性

FHD70-E光耦合器的核心特性之一是其高隔离电压能力,达到5000 VRMS,符合UL、CSA、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等多项国际安全标准,确保在高压应用中的可靠性和安全性。这种高隔离性能使其非常适合用于变频器、开关电源、工业PLC以及医疗设备等对电气隔离要求严格的场合。
  其次,该器件具备出色的高速传输能力,支持高达10 MBd的数据速率,上升和下降时间均在35 ns以内,能够满足现代高速数字通信的需求。其内部采用CMOS光电探测器结构,相较于传统光敏三极管输出型光耦,具有更高的响应速度和更低的传播延迟,显著提升了系统的实时性与响应效率。
  另一个关键优势在于其卓越的共模瞬态抗扰度(CMTI),可达到±15 kV/μs,意味着即使在存在强烈电磁干扰或地电位剧烈波动的工业环境中,也能有效抑制噪声对信号传输的影响,避免误触发或数据丢失。这一特性对于电机驱动、逆变器和工业自动化系统尤为重要。
  FHD70-E还具有低输入驱动电流(通常仅需5~10 mA即可饱和导通),兼容TTL和CMOS逻辑电平,便于与微控制器、DSP或FPGA等数字IC直接连接,无需额外的驱动电路。同时,它的工作温度范围宽达-40°C至+110°C,适应极端环境下的长期稳定运行。此外,其高绝缘电阻(≥10^11 Ω)和低漏电流设计进一步增强了系统的可靠性与安全性。

应用

FHD70-E光耦合器广泛应用于多个工业与电力电子领域。在开关电源(SMPS)中,常用于反馈回路中的电压或电流信号隔离,以实现稳定的闭环控制,同时防止主电路高压对控制侧造成损害。在变频器和逆变器系统中,它被用来隔离PWM控制信号,确保驱动电路与微处理器之间的安全通信,避免因高压侧开关噪声引起的误动作。
  在工业自动化控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)的数字输入/输出模块,FHD70-E可用于将现场传感器或执行器信号与内部逻辑电路进行电气隔离,提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。此外,在伺服驱动器和电机控制系统中,该器件也常用于隔离编码器反馈信号或故障保护信号,保障控制精度与设备安全。
  通信接口隔离也是其重要应用场景之一,例如在RS-485、CAN总线等差分通信线路中,使用FHD70-E可以实现节点间的电气隔离,防止地环路电流导致的数据错误或设备损坏。此外,在医疗电子设备中,由于对患者安全有严格要求,FHD70-E的高隔离电压和认证资质使其成为隔离电源监控或信号采集模块的理想选择。
  其他应用还包括不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及测试测量仪器等需要高可靠性信号隔离的场合。凭借其高速、高隔离和强抗干扰能力,FHD70-E在现代电子系统中扮演着关键角色。

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