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FHD41480805T 发布时间 时间:2025/12/28 1:14:41 查看 阅读:13

FHD41480805T是一款由Fairchild Semiconductor(已被ON Semiconductor收购)生产的表面贴装肖特基势垒二极管。该器件采用紧凑型SOD-123FL封装,专为高效率、高频开关应用而设计。其主要特点包括低正向电压降和快速反向恢复时间,这使其非常适合用于电源整流、续流二极管以及DC-DC转换器等场景。FHD41480805T具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较高的环境温度下正常工作,适用于对空间要求严格且需要高效能表现的现代电子设备中,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式消费类电子产品。此外,该二极管符合RoHS环保标准,并具备无卤素设计,满足当前主流电子产品对于绿色环保材料的需求。器件经过优化,在小尺寸封装下仍能提供出色的电气性能,是替代传统更大封装肖特基二极管的理想选择之一。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  极性:单极
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流反向电压(VR):40V
  平均整流电流(IO):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  正向电压降(VF):典型值0.48V @ 1A,最大值0.58V @ 1A
  反向漏电流(IR):最大值0.1mA @ 40V, 25°C
  反向恢复时间(trr):<30ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-123FL
  安装类型:表面贴装(SMT)
  引脚数:2
  热阻(RθJA):约200°C/W
  湿气敏感等级(MSL):1级(<=30°C/85% RH)

特性

FHD41480805T的核心优势在于其采用肖特基势垒结构,这种结构通过金属-半导体接触形成势垒,而非传统的PN结,因此能够显著降低正向导通压降(VF)。在1A电流条件下,其典型正向压降仅为0.48V,最大不超过0.58V,这意味着在导通状态下功耗极低,有助于提高整个系统的能源效率。尤其在电池供电设备中,低VF可以减少能量损耗,延长续航时间。
  此外,由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件,不涉及少数载流子的存储效应,因此其开关速度非常快,反向恢复时间(trr)小于30纳秒。这一特性使得FHD41480805T特别适合用于高频开关电源电路,如同步整流、DC-DC升压或降压转换器中作为续流或箝位二极管,有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰(EMI)。
  该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,外形尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,极大地节省了PCB布局空间,适用于高度集成化的便携式电子产品。尽管体积小巧,但其热设计经过优化,可在高达125°C的结温下持续工作,确保在高温环境下依然保持稳定性能。同时,该器件具备30A的峰值浪涌电流承受能力,能够在瞬态过流事件中提供一定的安全裕度,增强了系统鲁棒性。
  FHD414805T还通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证,表明其在温度循环、高温反偏、湿度寿命等方面的测试均达到严苛标准,因此不仅可用于消费电子,也可应用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块等对可靠性要求较高的领域。

应用

FHD41480805T广泛应用于各类需要高效、高频整流功能的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,尤其是在低电压输出(如5V、3.3V、1.8V)的AC-DC适配器和USB充电器中,利用其低正向压降提升整体转换效率。
  在DC-DC转换器拓扑结构中,例如Buck、Boost和Buck-Boost电路,该二极管常被用作续流二极管或防止反向电流的隔离元件。由于其快速的反向恢复特性,能有效抑制因电感电流突变引起的电压尖峰,从而保护主开关器件(如MOSFET),并减少电磁噪声辐射。
  此外,它也适用于逆变器电路、LED驱动电源、便携式医疗设备、无线充电接收端以及工业控制板上的电源管理单元。在这些应用中,空间紧凑性和散热性能至关重要,而FHD41480805T的小型化封装与低功耗特性正好满足设计需求。
  在电池管理系统(BMS)或多电源切换电路中,该二极管可作为防倒灌二极管使用,防止不同电源路径之间的相互干扰。其低漏电流(最大0.1mA @ 40V)也有助于在待机或休眠模式下降低静态功耗,提升系统能效。凭借其高可靠性和符合环保标准的设计,该器件同样适用于汽车电子、智能家居设备和通信基础设施等领域。

替代型号

FBAR4145-F085,FSL4145N

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