时间：2025/9/5 8:57:55
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FH33-45S-0.5SH(99) 是由富士通（Fujitsu）生产的一款高压、高频N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及良好的热稳定性，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：900V
漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：0.5Ω（最大）
漏极电流（ID）：1.5A（连续）
栅极-源极电压（VGS）：±30V
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
FH33-45S-0.5SH(99) 采用高耐压工艺制造，具备出色的开关性能和低导通损耗。其高频特性使其适用于高频开关电源，能够有效降低能量损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。该器件采用小型封装，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时提供了较高的功率处理能力。在实际应用中，该MOSFET具备良好的抗干扰能力和可靠性，适用于长时间运行的工业设备和高可靠性系统。
FH33-45S-0.5SH(99) 常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压特性也使其适用于LED照明驱动、家用电器中的电源模块以及新能源系统中的功率转换部分。
2SK3562, 2SK2460, FH33-45S-0.5S, FH33-45S-0.5S-TF
