时间：2025/7/22 4:25:51
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LF80ABDT-TR是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源管理应用而设计，适用于需要低导通电阻和高开关性能的场合。该器件采用DFN5x6封装，具备良好的热性能和空间效率，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：80A（最大）
漏-源极电压（Vds）：30V
栅-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度：-55°C ~ 175°C
封装类型：DFN5x6
LF80ABDT-TR具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，因此适用于高可靠性要求的应用。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体响应速度。其DFN5x6封装设计提供了良好的散热性能，同时节省PCB空间，适合高密度电路设计。
在栅极驱动方面，该MOSFET支持常见的驱动电压，如10V或12V，能够与多种控制器和驱动IC兼容。其坚固的结构设计使其能够承受较高的瞬态电流和电压应力，适用于恶劣工作环境。此外，该器件的封装材料符合RoHS标准，支持绿色环保的电子产品设计。
LF80ABDT-TR广泛应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。它还可用于电机控制、工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率便携式设备。由于其高电流能力和良好的热性能，该器件也适合用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车级应用。
STP80NF03L, IRF3710, FDP8030L
