LBC847AWT1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大应用。该晶体管采用SOT-23封装,具有较高的可靠性,适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种应用场景。
晶体管类型:NPN BJT
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
封装类型:SOT-23
LBC847AWT1G晶体管具备优异的电气性能和稳定的开关特性。其高电流增益(hFE)范围(110-800)使其能够适应不同的电路设计需求。晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极电流为100mA,适合中低功率应用。此外,该晶体管的增益带宽积达到250MHz,支持高频操作,适用于高速开关和射频放大场景。
LBC847AWT1G采用了SOT-23小型封装,节省空间并易于集成到PCB设计中。它还具有良好的热稳定性和较低的饱和电压(Vce_sat),有助于提高能效和降低功耗。在工业和商业应用中,这种晶体管常用于驱动继电器、LED、小型电机和其他负载设备。
该晶体管的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,适合各种环境条件。ON Semiconductor在制造过程中确保了高质量和一致性,使得LBC847AWT1G在长期使用中表现出色。此外,其高可靠性和耐用性使其成为汽车电子、电源管理和自动化控制系统中的理想选择。
LBC847AWT1G广泛应用于各种电子设备中,包括工业控制系统、消费电子产品、通信设备和汽车电子模块。该晶体管可用于驱动LED、继电器、小型电机和传感器等负载。此外,它还可用于音频放大器、射频开关和数字逻辑电路中的关键组件。在嵌入式系统和微控制器应用中,LBC847AWT1G常被用作信号放大和开关控制元件。
MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847BW, 2N2222A