时间：2025/9/11 18:46:55
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KU310N10F-U/H 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET，专为高效率、高功率密度应用设计。该器件采用先进的U-MOS技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电力电子设备和工业控制系统。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：170A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大3.1mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：210nC
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
KU310N10F-U/H 的主要特性包括超低导通电阻，提高了系统的整体效率，减少了功率损耗。其高电流容量和优异的热性能使其适用于高功率应用。此外，该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在高压冲击下的可靠性。
此外，该器件的快速开关特性降低了开关损耗，从而提升了高频操作的性能。其先进的封装技术提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
KU310N10F-U/H 被广泛应用于各类高功率电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。此外，它也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动车电源管理系统。
KU310N10F-U/H 的替代型号包括 KU310N10A、KU310N10F 和 KU310N10FP。这些型号在电气特性、封装形式和应用场景方面与 KU310N10F-U/H 高度相似，可根据具体设计需求进行替换。
