N2526-6V0C-RB-WE 是一款由 IXYS 公司生产的高性能功率MOSFET驱动器集成电路,专为高效、高可靠性应用而设计。该器件广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器等需要功率MOSFET或IGBT驱动的场合。其主要功能是将控制信号转换为适合驱动功率器件的高电流信号,从而确保系统高效稳定运行。
封装类型:SOIC-16
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大供电电压:35V
输出电流(峰值):±4.0A
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
传播延迟时间:20ns(典型值)
上升/下降时间:10ns(典型值)
驱动电压范围:4.5V ~ 35V
隔离电压:5000VRMS(绝缘等级)
工作电源电压范围:4.5V 至 20V
N2526-6V0C-RB-WE 具备多项先进的技术特性,使其在功率驱动应用中表现出色。首先,其高达±4.0A的峰值输出电流能力可以有效驱动高栅极电荷的功率MOSFET和IGBT器件,从而实现快速开关操作,降低开关损耗。其次,该器件采用高速工艺制造,传播延迟时间仅为20ns左右,上升和下降时间也控制在10ns以内,这对于高频开关应用(如谐振转换器和软开关拓扑)至关重要。
此外,N2526-6V0C-RB-WE 集成了高耐压的电气隔离功能,支持高达5000VRMS的隔离电压,适用于需要安全隔离的工业控制、电源转换和电机驱动系统。该器件还具备欠压锁定(UVLO)功能,在电源电压不足时自动关闭输出,防止功率器件工作在非安全状态,提高系统稳定性与安全性。
本器件的工作电源电压范围宽广,支持4.5V至20V,兼容多种控制电路电源配置。输入信号兼容TTL和CMOS电平,方便与各种微控制器、PWM控制器或数字信号处理器连接。其封装采用16引脚SOIC形式,具有良好的热稳定性和空间利用率,适合在紧凑型设计中使用。
综上所述,N2526-6V0C-RB-WE 在性能、可靠性和集成度方面均表现出色,是工业自动化、电源管理系统、新能源设备以及电动汽车相关应用中的理想选择。
N2526-6V0C-RB-WE 主要应用于需要高效、高速驱动功率MOSFET或IGBT的场合。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动系统、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电设备、工业自动化控制系统等。由于其具备高隔离电压和宽电源电压范围,也常用于对安全性要求较高的医疗设备和工业设备中。
UCC27531BQDRQ1, NCP51820DR2G, IRS2104S(PBF), TC4420COA, Si8235BB-D-ISR