H9TQ17A8GTMCUR-KUM 是一款由海力士(SK Hynix)生产的 NAND 闪存芯片,主要用于存储数据。这款芯片采用先进的工艺技术制造,具备高容量、低功耗和高性能的特性,广泛应用于消费电子设备、工业控制以及嵌入式系统等领域。
该芯片支持高速接口标准,并提供可靠的写入和擦除周期,使其非常适合需要频繁数据存储和读取的应用场景。
容量:128Gb
接口类型:Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSOP
引脚数:48
传输速率:最高可达 266 MT/s
H9TQ17A8GTMCUR-KUM 具有以下主要特性:
1. 高密度存储:单颗芯片即可提供大容量的存储空间,适合对存储要求较高的应用。
2. 快速数据传输:支持 Toggle Mode 2.0 接口,能够实现高达 266 MT/s 的数据传输速度。
3. 耐用性:具有良好的写入/擦除周期性能,确保在长时间使用下仍能保持数据完整性。
4. 稳定的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内稳定运行,适应各种环境条件。
5. 低功耗设计:优化的电路结构显著降低了工作时的能耗,延长设备电池寿命。
H9TQ17A8GTMCUR-KUM 可用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的存储模块。
2. 数码相机和摄像机的数据记录功能。
3. 固态硬盘(SSD)的主存储介质。
4. 工业自动化控制系统中的程序和数据存储。
5. 嵌入式系统的固件存储解决方案。
6. 医疗设备和汽车电子中的关键数据存储组件。
H9TQ17A8GTMKUR-KUM
H9TQ17A8GTMKUR_KUM
H9TQ17A8GTMKUR