类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：650V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　

FGZ75XS65C MOSFET具有多项优良特性，包括高耐压能力、低导通电阻和快速开关特性。其高耐压能力使其适用于高电压应用，而低Rds(on)则有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，有助于在高应力条件下保护器件免受损坏。其TO-247封装形式有助于提高散热效率，确保在高功率条件下的可靠运行。FGZ75XS65C还具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种栅极驱动器配合使用。
　　在制造工艺方面，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提高了载流能力和开关速度，同时降低了开关损耗。该MOSFET适用于硬开关和软开关拓扑结构，如反激式、正激式、LLC谐振转换器等，广泛应用于各种高功率电子系统中。

FGZ75XS65C MOSFET主要应用于高功率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动和工业自动化设备。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，例如服务器电源、通信电源、医疗电源和电动汽车充电设备等。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件在需要高效率和高稳定性的应用中表现出色。

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　　 "FGA75N65SMD",
　　 "IRGP75B65FWD",
　　 "STF75N65M5",
　　 "IPW65R017CFD7"
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