类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：50A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.036Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　功率耗散（PD）：125W

CXM3650UR 具备多项优异的电气和物理特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。在50A的额定漏极电流下，该MOSFET仍能保持稳定的工作状态，适用于高电流负载的应用。此外，CXM3650UR 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　该器件采用TO-252封装形式，具备良好的散热性能，有助于将热量有效地传导至PCB板上，从而提升器件的热稳定性。其工作温度范围为-55°C至+175°C，表明其具有较强的环境适应能力，适用于工业级和汽车电子等恶劣工作条件下的应用。
　　在动态性能方面，CXM3650UR 的开关损耗较低，能够在高频开关应用中保持高效能。这使其成为DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路的理想选择。此外，该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，提升了在高压尖峰环境下的可靠性。

CXM3650UR 主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统。典型的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电管理系统、电机驱动器以及工业自动化控制系统中的功率开关。由于其优异的热性能和电气特性，CXM3650UR 也常用于电源管理模块、服务器电源、电信设备电源和汽车电子系统中，如车载充电器和电动工具驱动电路。
　　此外，在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，CXM3650UR 也扮演着关键角色。其高耐压和低导通电阻的特性，有助于提升系统的整体转换效率，并减少发热损耗。在消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑电源适配器和高功率LED驱动电路中，CXM3650UR 也被广泛采用。

IRF3710, SiHH50N10, FDP50N10, STP55NF06