IXFK55N48 时间：2025/8/5 20:09:30 阅读：18

IXFK55N48是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的平面技术，具备低导通电阻、高耐压和高开关速度的特点，适用于工业控制、电源转换、电机驱动等多种电力电子系统。IXFK55N48采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够承受较大的电流和功率。其设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，适合在高频率工作条件下使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：480V
　　漏极电流(Id)：55A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值0.18Ω
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFK55N48的主要特性包括优异的导通性能和高开关速度，使其在功率转换效率方面表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，同时具备较高的电流承载能力，确保在高负载条件下稳定运行。此外，该MOSFET具备出色的热稳定性，TO-247封装提供了良好的散热能力，使其能够适应严苛的工作环境。
　　在结构设计上，IXFK55N48采用了先进的平面工艺，提高了器件的可靠性和耐用性。其高栅极电压容限（±30V）增强了抗过压能力，降低了驱动电路的设计复杂度。该器件的开关特性经过优化，具有较低的开关损耗，特别适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路。
　　此外，IXFK55N48还具备良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其在需要高可靠性的工业和电力系统中得到广泛应用。

应用

IXFK55N48广泛应用于各种高功率和高频率的电力电子设备中，包括但不限于：
　　1. 功率因数校正（PFC）电路
　　2. DC-DC升压/降压转换器
　　3. 逆变器（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）
　　4. 电机驱动和变频器
　　5. 工业自动化和控制设备
　　6. 高频电源供应器
　　由于其高耐压和大电流能力，IXFK55N48也非常适合用于需要高效能和高可靠性的车载电源系统和新能源领域。