STW150NF55 时间：2025/7/23 1:18:08 阅读：5

STW150NF55是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管。该器件专为高电流、高电压应用场景设计，具备优异的导通特性和热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。STW150NF55采用了先进的沟槽栅技术，确保了低导通电阻、高开关速度和较低的开关损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：150A
　　最大漏-源电压（Vds）：55V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：300W

特性

STW150NF55具有多个关键特性，使其在各类电力电子系统中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）仅为5.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件具备高达150A的最大漏极电流能力，能够支持高功率应用的电流需求。此外，STW150NF55的漏-源电压额定值为55V，适用于中等电压应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅结构技术，提升了器件的开关速度并降低了开关损耗，从而提高了系统的动态性能。其高栅极电压容限（±20V）确保了在各种驱动条件下器件的安全性和稳定性。此外，STW150NF55的工作温度范围为-55°C至175°C，具有良好的热稳定性和环境适应性，适用于工业级和汽车级应用场合。
　　在封装方面，STW150NF55采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械强度，能够有效应对高功率密度应用中的热管理挑战。该封装还支持简便的安装与散热器连接，便于在各类电力电子系统中集成。

应用

STW150NF55广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：电力电子转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）、电动车辆的电池管理系统、电机驱动器（如电动工具、工业自动化设备）、太阳能逆变器和储能系统。此外，该器件也适用于需要高效能功率开关的工业电源、不间断电源（UPS）以及负载开关电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。