时间：2025/8/8 21:17:35
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FGZ40N120WE是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用先进的硅技术，具备出色的导通和开关性能，广泛用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：40A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.15Ω
最大耗散功率（Ptot）：300W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-3P
FGZ40N120WE具有低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件的高耐压能力（1200V）使其适用于高压功率转换系统。此外，其封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。FGZ40N120WE还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高整体能效。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣环境条件下的长期运行。
在设计上，FGZ40N120WE采用了先进的硅芯片技术和优化的封装结构，以实现更低的电磁干扰（EMI）和更高的耐用性。这些特性使其成为工业电机驱动、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）等应用的理想选择。
FGZ40N120WE常用于工业电源系统、电动汽车充电设备、太阳能逆变器、电机驱动器、DC-AC转换器以及各种高功率电子设备中。其高压、大电流能力和高可靠性使其适用于需要高效能和稳定性的电力电子系统。
FGZ40N120WJ
