时间：2025/8/8 17:19:12
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FGW50N60HD-S31PPSC-P2是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于需要高效率和高性能的电力电子设备。该器件采用高级沟槽栅和场截止技术，具有低导通压降和开关损耗的特点，适用于工业电机驱动、逆变器、电源系统等高功率应用场景。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
最大集电极电流（IC）：50A（Tc=25℃）
导通压降（VCEsat）：典型值2.1V（在IC=50A时）
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247（P2）
短路耐受能力：具备
技术：沟槽栅+场截止（Field Stop）
FGW50N60HD-S31PPSC-P2采用了先进的沟槽栅和场截止技术，使器件在导通压降和开关损耗之间实现了良好的平衡。其导通压降较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该IGBT具备出色的开关性能，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗，适合用于高性能逆变器和电源系统。
该器件还具备较高的短路耐受能力，提升了系统在异常工作条件下的可靠性。其封装形式为TO-247（P2），具备良好的热管理和电气绝缘性能，适用于各种高功率密度设计。此外，FGW50N60HD-S31PPSC-P2的内部结构优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统中的高频噪声，提高电磁兼容性（EMC）性能。
FGW50N60HD-S31PPSC-P2广泛应用于各种高功率电力电子系统，包括工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合用于需要高效率和高频操作的逆变器系统。此外，其良好的短路耐受能力也使其适用于需要高可靠性的工业自动化和电机控制应用。在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电设备中，该IGBT能够提供稳定的性能，满足高效率和高可靠性的要求。
FGW50N60HD-P2
