时间：2025/8/5 15:46:34
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VMO400-02FL/11 是一款由 Vishay 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场合。VMO400-02FL/11 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热性能和紧凑的设计，便于在各种电路板中布局。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：200 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
漏极电流（Id）：连续 4 A
导通电阻 Rds(on)：最大 2.2 Ω @ Vgs = 10 V
功耗（Pd）：60 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-252（DPAK）
VMO400-02FL/11 功率 MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的漏源电压额定值为 200 V，能够承受较高的工作电压，适用于多种高电压应用。其连续漏极电流为 4 A，能够在中等功率应用中稳定工作。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10 V 至 20 V 的栅源电压，使其能够兼容多种驱动电路。同时，其封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的热管理能力，适合表面贴装技术（SMT），提高了 PCB 设计的灵活性和可靠性。
VMO400-02FL/11 还具备快速开关特性，具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗并提高响应速度。这种特性使其在高频开关应用中表现出色，例如在 DC-DC 转换器和 LED 驱动电路中。
此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，并具备一定的抗过载能力，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的功率管理电路。
VMO400-02FL/11 广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统以及 LED 照明驱动电路。由于其良好的热性能和低导通电阻，该器件也适用于需要高效率和紧凑设计的便携式设备和工业控制系统。此外，该 MOSFET 可用于电源管理模块、电源适配器和小型逆变器等应用，提供可靠的开关控制和功率传输能力。
SiA440EDJ-E3, FDD4410, IRFR3710, STP4NK55Z
