容量：128Mb（16MB）
　　组织结构：1x I/O
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　接口类型：Serial NOR Flash
　　读取频率：104MHz
　　访问时间：10ns
　　封装类型：119-TFBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程/擦除电压：3V
　　

W631GU6KB-11 TR 是一款高性能的串行 NOR Flash 存储器，具备出色的稳定性和广泛的适用性。其核心特性之一是其 128Mb 的存储容量，可提供 16MB 的代码或数据存储空间，适用于需要中等容量存储的应用。该芯片支持 1x I/O 模式，允许通过单一数据线进行数据传输，简化了接口设计并减少了 PCB 布线的复杂性。
　　该芯片支持 2.3V 至 3.6V 的宽电压范围，使其适用于多种电源设计环境，提升了系统设计的灵活性。工作频率高达 104MHz，确保了快速的代码执行和数据访问能力，满足对实时性要求较高的应用场景。10ns 的访问时间进一步增强了其在高速系统中的表现。
　　此外，W631GU6KB-11 TR 采用 119-TFBGA 封装，体积小巧，适合空间受限的便携式设备和高密度嵌入式系统。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级和车载级应用环境，具有良好的温度稳定性和可靠性。该芯片还支持多种擦除和写入保护功能，提升了数据安全性和系统稳定性。
　　总体而言，W631GU6KB-11 TR 是一款适用于多种应用场景的高性能 NOR Flash 芯片，兼具低功耗、高速度和高可靠性，是嵌入式系统、网络设备、工业控制器和消费电子产品中的理想选择。

W631GU6KB-11 TR 主要用于以下应用领域：嵌入式系统的代码存储、固件更新和启动介质；通信设备中的数据缓存和配置存储；工业自动化设备的程序存储和数据记录；汽车电子系统中的仪表盘控制、导航系统和车载信息娱乐系统；消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的辅助存储器。

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　　 "W25Q128JV",
　　 "MX25U12835F",
　　 "S25FL128SD"
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