FGW15N120H 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的高电压、高电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于高功率应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,具有出色的开关性能和热稳定性。FGW15N120H广泛用于工业电机驱动、变频器、逆变器以及电源系统等场合。
集电极-发射极电压(VCES):1200 V
集电极电流(IC):15 A(Tc=100℃)
短路耐受能力:10 μs @ VCE=1200V
栅极-发射极电压(VGE):±20 V
工作温度范围:-40 ~ +150 ℃
封装类型:TO-247
短路电流:45 A(典型值)
导通压降(VCEsat):约2.1 V(IC=15A,VGE=15V)
FGW15N120H具备出色的高电压和高电流处理能力,能够承受较大的短路电流并具有良好的热稳定性,适用于高功率密度设计。
该IGBT器件具有低导通压降,从而降低了导通损耗,提高了整体效率。
其优化的芯片结构确保了在高温条件下仍能稳定工作,增强了器件的可靠性和寿命。
FGW15N120H采用TO-247封装,具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用。
此外,该器件还具备快速开关能力,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
内置的反向恢复二极管(如果有的话)有助于提高电路设计的灵活性,并减少外围元件数量。
FGW15N120H 主要应用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统,如交流变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在电机控制应用中,该IGBT可用于构建H桥电路,实现电机的高效调速和方向控制。
在新能源领域,如光伏逆变器和储能系统中,FGW15N120H可用于DC-AC转换,提高能量转换效率。
此外,该器件也适用于高频开关电源、电焊机、电磁加热设备等工业设备中的功率转换环节。
由于其优异的短路耐受能力,FGW15N120H特别适合用于需要高可靠性和高安全性的应用场合。
FGW15N120H可替代型号包括FGW15N120AND(富士)、SKW15N120(赛米控)、STGW15NC120K(意法半导体)等同封装、同电压/电流等级的IGBT器件。