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FGL60N170DTU 发布时间 时间:2023/12/19 17:13:29 查看 阅读:152

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-264
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极击穿电压: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 5 V
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 200 W
封装: Tube
Part # Aliases: FGL60N170DTUNL

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FGL60N170DTU参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类IGBT 晶体管
  • 配置Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1700 V
  • 集电极—射极饱和电压5 V
  • 栅极/发射极最大电压+/- 25 V
  • 在25 C的连续集电极电流60 A
  • 栅极—射极漏泄电流+/- 100 nA
  • 功率耗散200 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体TO-264-3
  • 封装Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic60 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 安装风格Through Hole
  • 工厂包装数量25
  • 零件号别名FGL60N170DTU_NL