YG226S8 时间：2025/9/23 13:54:06 阅读：8

YG226S8是一款由扬州扬杰电子科技股份有限公司（YANGJIE）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关特性和热稳定性，适用于多种中低功率电源转换场景。其封装形式为SOP-8（小外形封装），具备良好的散热性能和紧凑的体积，便于在空间受限的PCB布局中使用。YG226S8广泛应用于适配器、充电器、DC-DC转换器、LED驱动电源以及电机控制等消费类和工业类电子产品中。
　　作为国产半导体器件，YG226S8在性价比方面具有显著优势，同时兼容国际主流厂商同类产品的引脚排列和电气特性，便于替代进口型号。其内部结构优化了电场分布，提升了雪崩能量耐受能力和抗浪涌能力，增强了系统可靠性。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：110A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：440A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值4.5mΩ @ VGS=10V；最大值6.2mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：约4000pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：约950pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向传输电容(Crss)：约110pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　栅极总电荷(Qg)：约50nC @ VDS=15V, ID=55A
　　开启延迟时间(Td(on))：约15ns
　　上升时间(Tr)：约45ns
　　关断延迟时间(Td(off))：约40ns
　　下降时间(Tf)：约25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOP-8

特性

YG226S8采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具备极低的导通电阻，在VGS=10V条件下，RDS(on)最大仅为6.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。这一特性尤其适合大电流应用场景，如同步整流、电池管理系统和高效DC-DC变换器，有助于减少发热并提升功率密度。器件的低Qg（栅极电荷）和Crss（反向传输电容）确保了快速的开关响应能力，使其能够在高频开关环境下稳定运行，有效降低开关损耗，从而支持更高频率的设计以缩小外围磁性元件体积。
　　该MOSFET具有优良的热稳定性与电流承载能力，其SOA（安全工作区）经过优化设计，可在瞬态过载或短路情况下保持可靠工作。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的应用场合，例如半桥或同步整流拓扑中。同时，器件的阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），能够兼容TTL或CMOS逻辑电平驱动信号，简化驱动电路设计。SOP-8封装不仅节省空间，还通过暴露焊盘增强散热性能，允许在不使用额外散热片的情况下处理较高功耗。
　　YG226S8在制造过程中严格遵循IATF16949质量管理体系，并通过了高温反偏（HTRB）、温度循环、高压蒸煮等多项可靠性测试，确保长期使用的稳定性。其抗静电能力（HBM）可达2000V以上，提升了生产过程中的操作安全性。此外，产品一致性高，批次间参数波动小，有利于大规模自动化生产中的良率控制。对于注重成本与性能平衡的中端市场而言，YG226S8是一个极具竞争力的选择，尤其适合替代国际品牌类似规格的产品。

应用

YG226S8广泛应用于各类中低功率电源转换设备中。在便携式电子设备领域，常用于手机、笔记本电脑和平板电脑的充电器及适配器中作为主开关管或同步整流管，利用其低导通电阻和高效率特点提升能源利用率。在LED照明系统中，该器件可用于恒流驱动电路中的功率开关，实现高效稳定的亮度调节与调光功能。在通信设备电源模块中，YG226S8被用于隔离式或非隔离式DC-DC转换器，支持宽输入电压范围下的稳定输出。
　　此外，该MOSFET也适用于电动工具、无人机电池管理单元（BMS）、小型电机驱动控制器等需要高电流切换能力的场合。其优异的动态响应性能使其能在负载突变时迅速调整状态，保障系统稳定运行。在光伏微逆变器或储能系统的小型化逆变模块中，YG226S8可用于H桥或推挽拓扑结构中的功率开关元件，配合PWM控制器实现高效的能量转换。由于其具备较强的抗干扰能力和环境适应性，也可用于工业控制板卡、智能家电主板上的电源管理单元，满足严苛工况下的长期运行需求。