时间：2025/5/24 21:11:04
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FGH50T65SQD-F155 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为高电压、高频率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等场景。FGH50T65SQD-F155 采用了 TO-247 封装形式，确保了良好的散热性能。
这款芯片以其出色的电气特性和可靠性在工业级和消费级市场中广泛应用，同时具备较高的耐压能力和较低的功率损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.03Ω
栅极电荷：55nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
FGH50T65SQD-F155 的主要特点是其卓越的电气性能与耐用性。它能够在高电压环境下稳定运行，并且通过优化的导通电阻显著降低了功耗。此外，该芯片还具备以下特性：
1. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
2. 高度可靠的短路耐受能力，提升了产品的鲁棒性。
3. 极低的寄生电感设计，适用于高频应用场景。
4. 内置保护机制，可防止过流或过温情况下的损坏。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
FGH50T65SQD-F155 被广泛应用于多个领域，特别是在需要高效功率转换和高电压支持的场合下表现优异。典型的应用包括：
- 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)
- 电机驱动及逆变器
- DC-DC 转换器
- 太阳能逆变器
- 工业自动化设备中的功率控制模块
- 汽车电子系统的功率管理部分
FGH50T65SQA-F155
IRFP460
STP50NM60E
