类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：14A
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散：3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN-8

MD2407B具有多项显著的技术特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）特性，典型值为11mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该器件支持高达14A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作。MD2407B的工作电压范围较宽，漏源电压为30V，栅源电压最大支持±20V，确保了其在多种电源管理应用中的可靠性。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。同时，其封装设计具有良好的热管理能力，能够在高功率应用中有效散热，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。MD2407B还具有快速开关响应时间，适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。
　　此外，MD2407B集成了两个N沟道MOSFET，使得在H桥驱动、双路负载控制等应用中可以减少外部元件数量，提高电路集成度和可靠性。该器件还具备过温保护和过电流保护能力，在极端工作条件下依然能保持稳定运行。

MD2407B广泛应用于多个电子系统领域，尤其是在需要高效功率控制的场合。其典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源开关、负载分配器以及工业自动化控制系统等。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理模块、LED照明驱动以及车载充电器等。
　　在消费类电子产品中，MD2407B常用于笔记本电脑、平板电脑、智能音箱等设备的电源管理电路中，实现对不同负载的高效供电控制。此外，由于其双路MOSFET结构，该器件在H桥电机控制电路中表现出色，能够实现双向电机驱动控制，适用于机器人、电动玩具和小型自动化设备中的电机驱动应用。
　　MD2407B还可用于同步整流电路中，作为主开关器件，提高电源转换效率。其低导通电阻和快速开关特性也使其成为高频开关电源（SMPS）的理想选择，特别是在需要高功率密度和高效率的小型化电源模块中。

Si2407BDY-T1-GE3, AO4407, IRF7407, FDS4407B, TPS2R200