30KP48A是一种双列直插式封装的高压功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高电压应用场景中。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高耐压的特点,能够有效降低功率损耗并提高系统的整体效率。
该芯片的主要特点是其能够在较高的电压环境下稳定工作,同时具备快速的开关速度,这使得它非常适合于高频开关电路的设计。此外,30KP48A还内置了多种保护机制,例如过流保护和热关断功能,从而提高了器件的可靠性和安全性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:12A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻:0.18Ω
开关时间:ton=50ns, toff=75ns
结温范围:-55℃至+150℃
30KP48A具有以下主要特性:
1. 高击穿电压:该器件的最大漏源电压为600V,能够满足大多数高压应用的需求。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为0.18Ω,从而减少了功率损耗。
3. 快速开关能力:开关时间为几十纳秒级别,支持高频开关应用。
4. 内置保护功能:包括过流保护和热关断功能,确保器件在异常情况下不会受到损害。
5. 良好的热性能:采用优化的封装设计,增强了散热能力,从而提高了器件的工作稳定性。
30KP48A适用于以下领域:
1. 开关电源:如适配器、充电器以及工业电源等。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
3. 逆变器:应用于光伏逆变器或不间断电源(UPS)系统中。
4. 照明系统:如LED路灯驱动电路。
5. 其他需要高压开关的场景:如电子负载和电力电子变换器。
IRF840, STP12NM60, FQP12N60