时间：2025/5/9 14:58:41
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FGH40T65UPD是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电源管理应用场合。
这款MOSFET的漏源极耐压高达650V，能够承受较高的电压波动，同时具备良好的热性能，适合用于工业设备、消费电子以及汽车电子领域中的各种电路设计。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
总功耗：290W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252
FGH40T65UPD具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，能够适应高压工作环境。
2. 极低的导通电阻，减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 良好的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 小型化的TO-252封装，便于安装并节省PCB空间。
6. 优异的热稳定性，能够在较宽温度范围内可靠运行。
该功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)，用作充放电路径的开关元件。
6. 各类家用电器中的电源管理和电机驱动部分。
IRFZ44N, FGH60T65UFD
