您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGH40T65UPD

FGH40T65UPD 发布时间 时间:2025/5/9 14:58:41 查看 阅读:15

FGH40T65UPD是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电源管理应用场合。
  这款MOSFET的漏源极耐压高达650V,能够承受较高的电压波动,同时具备良好的热性能,适合用于工业设备、消费电子以及汽车电子领域中的各种电路设计。

参数

最大漏源电压:650V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  总功耗:290W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252

特性

FGH40T65UPD具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压,能够适应高压工作环境。
  2. 极低的导通电阻,减少导通损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关能力,适合高频应用。
  4. 良好的雪崩能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  5. 小型化的TO-252封装,便于安装并节省PCB空间。
  6. 优异的热稳定性,能够在较宽温度范围内可靠运行。

应用

该功率MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
  2. 电机驱动与控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS),用作充放电路径的开关元件。
  6. 各类家用电器中的电源管理和电机驱动部分。

替代型号

IRFZ44N, FGH60T65UFD

FGH40T65UPD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGH40T65UPD资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FGH40T65UPD参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值268 W
  • 开关能量1.59mJ(开),580μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷177 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值20ns/144ns
  • 测试条件400V,40A,7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)43 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3