时间：2025/6/12 11:44:22
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502R29N330JV3E-****-SC 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适用于各种工业和消费类电子设备。
型号：502R29N330JV3E-****-SC
类型：N沟道 MOSFET
封装：SC-70
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大持续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ
总栅极电荷(Qg)：24nC
开关时间：开启时间(t_on)=18ns，关断时间(t_off)=16ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
该芯片采用了超低导通电阻设计，从而显著降低了传导损耗并提高了效率。
具备快速的开关性能，能够有效减少开关损耗。
优化的栅极驱动设计使得该器件在高频应用中表现优异。
具有强大的抗雪崩能力，能够在过载或短路情况下提供额外保护。
出色的热稳定性确保其在极端环境下的可靠性。
支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产和装配。
广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理模块以及负载开关等领域。
特别适合于需要高效率和紧凑设计的应用场景，例如笔记本电脑适配器、LED驱动电路、通信电源和消费类电子产品中的功率管理部分。
502R29N330JW3E-****-SC
IRF3710
FDP5800
AON7542G
