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GA1210Y563MBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:59:51 查看 阅读:7

GA1210Y563MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点,适用于需要高效能量转换的场景。
  这款芯片主要以 N 沟道增强型 MOSFET 的形式存在,通过栅极电压控制实现对电流的开关功能。其出色的电气性能使其成为许多工业应用中的理想选择。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:0.07Ω
  栅极电荷:80nC
  总电容:300pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y563MBAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压,可承受高达 1200V 的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(0.07Ω),能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  3. 快速开关能力,得益于较小的栅极电荷和总电容,适合高频应用。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种恶劣环境条件。
  5. 高可靠性设计,具备出色的抗电磁干扰能力和长期稳定性。
  这些特性使 GA1210Y563MBAAR31G 成为众多高电压、大电流应用场景的理想选择。

应用

该芯片的应用领域包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管,用于高效能量转换。
  2. 电机驱动系统中的功率级,实现精确的电流控制。
  3. 太阳能逆变器中的功率模块,助力清洁能源的高效利用。
  4. 工业自动化设备中的电源管理单元,提供稳定的电力支持。
  5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及驱动系统。
  GA1210Y563MBAAR31G 凭借其优越的性能,在这些领域中展现出了卓越的价值。

替代型号

IRFP260N
  FDP15N120
  CSD19536KCS

GA1210Y563MBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-