您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGD3N60LSDTM

FGD3N60LSDTM 发布时间 时间:2023/12/19 17:30:52 查看 阅读:161

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: DPAK
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 6 A
封装: Reel
配置: Single

FGD3N60LSDTM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGD3N60LSDTM资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FGD3N60LSDTM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.5V @ 10V,3A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
  • 功率 - 最大40W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FGD3N60LSDTM-NDFGD3N60LSDTMTR