FGD3050G2是一款高压功率MOSFET,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低系统功耗并提高整体性能。
FGD3050G2支持高频率操作,同时具备优异的热稳定性和可靠性,适用于多种工业和消费类电子场景。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:3.0A
导通电阻:1.2Ω(典型值)
栅极电荷:35nC(最大值)
输入电容:1500pF
开关速度:快速
封装形式:TO-220
1. 高耐压能力,最高可达500V,适合高压环境应用。
2. 极低的导通电阻,减少功率损耗,提升效率。
3. 快速开关特性,可实现高频工作,满足现代电力电子设备的需求。
4. 良好的热稳定性,能够在较高温度下可靠运行。
5. 具备短路保护功能,增强系统安全性。
6. 封装形式为TO-220,易于安装和散热。
FGD3050G2广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动器、逆变器、电机驱动以及各种需要高压开关的场合。它特别适合用于中小功率范围内的高效能转换电路设计。
FGD3050G, IRF840, STP3NB50