时间：2025/5/24 15:12:06
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FGD3050G2是一款高压功率MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低系统功耗并提高整体性能。
FGD3050G2支持高频率操作，同时具备优异的热稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3.0A
导通电阻：1.2Ω（典型值）
栅极电荷：35nC（最大值）
输入电容：1500pF
开关速度：快速
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，最高可达500V，适合高压环境应用。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗，提升效率。
3. 快速开关特性，可实现高频工作，满足现代电力电子设备的需求。
4. 良好的热稳定性，能够在较高温度下可靠运行。
5. 具备短路保护功能，增强系统安全性。
6. 封装形式为TO-220，易于安装和散热。
FGD3050G2广泛应用于开关电源、适配器、LED驱动器、逆变器、电机驱动以及各种需要高压开关的场合。它特别适合用于中小功率范围内的高效能转换电路设计。
FGD3050G, IRF840, STP3NB50
