时间：2025/8/13 4:25:26
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BSS8402DW1T1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于各种高性能开关应用。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6.0A（连续）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大22mΩ @ VGS = 10V
导通电阻（RDS(on)）：最大30mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SO-8
BSS8402DW1T1G 采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，确保了在高电流条件下的稳定性能。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的双N沟道结构使其非常适合用于同步整流、负载开关或电机控制等应用。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和良好的抗雪崩能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。封装形式为SO-8，便于表面贴装，适用于紧凑型PCB设计。
BSS8402DW1T1G 主要用于需要高效、高电流开关能力的场合，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及电池供电设备中的功率控制部分。由于其优异的导通性能和热稳定性，该器件也常用于工业自动化、汽车电子和便携式电子设备中。
Si3442CDV-T1-GE3, BSS8404NWT1G, BSS8406BEN, BSS8408FCT1
