时间：2025/8/24 15:52:35
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FGB3040 是一款常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流容量等优点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理系统等应用。FGB3040采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，能够承受较高的功率负载。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：400V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：30A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
FGB3040具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高耐压能力（400V Vds）使其适用于中高功率应用，例如AC-DC电源和工业控制设备。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。此外，该器件具有较高的连续漏极电流能力（30A），能够在大电流条件下稳定工作。FGB3040还具备良好的热稳定性，采用TO-220封装有助于快速散热，从而提升整体可靠性。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。
FGB3040广泛应用于各类电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电池充电器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于LED驱动电源、太阳能逆变器和家用电器中的功率控制模块。
FGA30N40、FGA3040、FGA30N40L、IRF30N40
