时间：2025/8/25 7:04:08
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HGTP15N40E1是一款由ON Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，适用于高电压和高功率的应用场景。该器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源转换器、电机驱动、照明系统以及各种工业控制设备中。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏极-源极电压（VDS）：400V
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS = 10V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
HGTP15N40E1的特性主要体现在其高性能的导通能力和优秀的热稳定性上。首先，该器件的导通电阻仅为0.38Ω，在10V栅极驱动电压下即可实现较低的导通损耗，从而提高整体效率。这使得它非常适合用于高频率开关应用，例如DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
其次，HGTP15N40E1具备高达400V的漏极-源极击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的工作需求。其最大漏极电流为15A，能够在较高负载条件下保持稳定运行。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电流流动路径，降低了导通压降，同时提高了器件的热传导能力，确保在高温环境下仍能可靠工作。其TO-247封装形式也便于散热，适合大功率应用场合。
最后，HGTP15N40E1具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，增强了器件在恶劣工作条件下的稳定性和可靠性。
HGTP15N40E1广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机控制、LED照明驱动、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其具备高耐压和低导通电阻的特点，非常适合用于需要频繁开关和高效能转换的电路设计中。此外，该器件也可用于电源管理模块和电池充电系统中，提供稳定的功率控制能力。
STP15N40Z, IRF840, FQA16N40, TK16A40D
