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FGA40N60RUFD 发布时间 时间:2025/8/25 3:48:32 查看 阅读:15

FGA40N60RUFD是一款由ON Semiconductor生产的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用中。这款MOSFET设计用于在高电压和大电流条件下提供出色的性能,适用于工业电源、电机控制、电源转换器等高功率应用场景。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:40A
  最大漏-源电压:600V
  最大栅-源电压:±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.175Ω
  功率耗散:300W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

FGA40N60RUFD具备低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通状态下的功率损耗,从而提高系统效率。
  该MOSFET支持高漏极电流和高漏-源电压,适用于高压高电流的电力电子应用。
  其TO-247封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于高功率密度的设计。
  内置快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)有助于提高电路的开关性能,特别是在高频开关应用中减少损耗。
  FGA40N60RUFD具有宽泛的工作温度范围,能够在极端环境条件下稳定运行,提高了器件的可靠性。
  此外,该器件具备较高的抗雪崩击穿能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定,避免器件损坏。

应用

FGA40N60RUFD广泛应用于各种高功率电子设备中,包括工业电源、UPS(不间断电源)、电机驱动器、太阳能逆变器和电动车充电系统。
  在电源转换器中,FGA40N60RUFD可作为主开关器件,提供高效的能量转换,适用于DC-DC转换器和AC-DC整流器。
  由于其内置快速恢复二极管,该MOSFET在反激式和正激式开关电源中表现出色,能够有效减少开关损耗并提升整体效率。
  在电机控制应用中,它可用于H桥电路或PWM控制电路,实现对电机速度和方向的精确控制。
  此外,该器件还适用于电池充电器、焊接设备、LED照明驱动电源等需要高效功率开关的场合。

替代型号

FGA40N60SQD, FGL40N60FD, FQA40N60

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