时间：2025/8/25 3:48:32
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FGA40N60RUFD是一款由ON Semiconductor生产的高性能N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用中。这款MOSFET设计用于在高电压和大电流条件下提供出色的性能，适用于工业电源、电机控制、电源转换器等高功率应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流：40A
最大漏-源电压：600V
最大栅-源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.175Ω
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
FGA40N60RUFD具备低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。
该MOSFET支持高漏极电流和高漏-源电压，适用于高压高电流的电力电子应用。
其TO-247封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度的设计。
内置快速恢复二极管（Fast Recovery Diode）有助于提高电路的开关性能，特别是在高频开关应用中减少损耗。
FGA40N60RUFD具有宽泛的工作温度范围，能够在极端环境条件下稳定运行，提高了器件的可靠性。
此外，该器件具备较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定，避免器件损坏。
FGA40N60RUFD广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动器、太阳能逆变器和电动车充电系统。
在电源转换器中，FGA40N60RUFD可作为主开关器件，提供高效的能量转换，适用于DC-DC转换器和AC-DC整流器。
由于其内置快速恢复二极管，该MOSFET在反激式和正激式开关电源中表现出色，能够有效减少开关损耗并提升整体效率。
在电机控制应用中，它可用于H桥电路或PWM控制电路，实现对电机速度和方向的精确控制。
此外，该器件还适用于电池充电器、焊接设备、LED照明驱动电源等需要高效功率开关的场合。
FGA40N60SQD, FGL40N60FD, FQA40N60
