类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：18A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（@ Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：22nC
　　功耗（Ptot）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

PST523G MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性，适用于广泛的功率应用领域。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 4.5mΩ，在 Vgs=10V 时可显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于高电流应用（如电源转换器和电机控制）尤为重要。其次，该器件的最大漏极电流为 18A，能够承受较高的负载能力，同时其最大漏源电压为 30V，适用于中低压功率系统的设计。此外，PST523G 的栅极电荷（Qg）仅为 22nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而在高频开关应用中表现良好。该器件的栅源电压最大为 ±20V，提供了较高的栅极驱动兼容性，便于与多种驱动电路配合使用。在热性能方面，PST523G 采用 DPAK（TO-252）封装，具备良好的散热能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于工业级和汽车级应用环境。整体来看，PST523G 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、工业自动化控制等多种应用场景。

PST523G MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：1. DC-DC 转换器：由于其低导通电阻和快速开关特性，PST523G 适用于高效的升压、降压和反相转换器设计。2. 电源管理：在多相电源系统、负载开关和热插拔控制电路中，该器件可有效控制电流流动并减少能量损耗。3. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，确保电池组的安全高效运行。4. 电机控制：适用于无刷直流电机和步进电机的驱动电路，提供稳定的功率输出。5. 工业与消费电子：在工业自动化设备、照明系统和电源适配器中，作为关键的功率开关元件使用。6. 汽车电子：由于其宽工作温度范围和高可靠性，PST523G 可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）等应用。

IPD90N03S4-03, STD523G, FDS4410, IRF3703, NTD4858NT4G