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FGA4060ADF 发布时间 时间:2025/5/8 19:24:47 查看 阅读:6

FGA4060ADF 是一款高性能的场效应晶体管(FET),适用于高频开关和功率放大等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,非常适合用于需要高效能和稳定性的电路中。
  FGA4060ADF 常用于电源管理、电机驱动以及通信系统等领域,其出色的电气性能使其成为众多设计工程师的首选元器件。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ
  输入电容(Ciss):3190pF
  输出电容(Coss):780pF
  反向传输电容(Crss):120pF
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

FGA4060ADF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够减少功耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电子设备的需求。
  3. 强大的散热性能,能够在较高温度下可靠工作。
  4. 良好的抗静电能力,增强了器件的耐用性和稳定性。
  5. 小尺寸封装,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 优异的热特性和电气特性,保证了长时间运行的可靠性。

应用

FGA4060ADF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 电信基础设施中的信号放大。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统的电源管理和电机控制。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
  7. 各种消费类电子产品中的高效能电源解决方案。

替代型号

FGA4060BDF, FGA4060ADFTR, IRFZ44N

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FGA4060ADF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值238 W
  • 开关能量1.37mJ(开),250μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷55.5 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值16.8ns/54.4ns
  • 测试条件400V,40A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)26 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3PN