BR101是一款硅基PIN二极管,广泛应用于射频(RF)和微波电路中,作为开关、检波器或保护器件。该器件采用紧凑型封装,具有良好的高频特性和快速的开关响应能力,适用于通信系统、雷达设备、测试仪器以及其他需要高效射频信号控制的应用场景。BR101的设计注重在宽频率范围内保持低正向压降与高反向击穿电压之间的平衡,使其能够在小信号处理中表现出优异性能。其结构中的本征层(I层)增强了载流子存储效应,从而提升了检波效率和开关速度。此外,该器件具备较高的可靠性与稳定性,在高温和高湿环境下仍能维持正常工作,适合工业级应用需求。
类型:PIN二极管
最大正向电流:100mA
峰值反向电压:70V
最大反向漏电流:5μA
结电容(在4V下):0.6pF
正向压降(在10mA时):1.1V
反向恢复时间:≤1ns
工作温度范围:-65°C 至 +125°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:SOD-323
BR101的核心优势在于其优异的高频响应能力和稳定的直流偏置特性,这使其成为射频开关设计中的理想选择。由于其内部结构为P+ - I - N配置,I层较薄但足够支持高频操作下的载流子注入与抽取,使得该器件在GHz频段内仍能维持较低的插入损耗和较高的隔离度。在射频开关应用中,通过施加正向或反向偏置电压,可以有效地改变其阻抗状态,从而实现信号路径的切换。其典型的结电容仅为0.6皮法拉(在4V反偏条件下),有助于减少对高频信号的分流影响,提高整体电路效率。
另一个关键特性是其快速的开关响应时间,反向恢复时间不超过1纳秒,这意味着在高速调制或脉冲操作中,器件能够迅速从导通状态转换到截止状态,避免了信号失真或串扰问题。这一特点特别适用于雷达接收机前端保护电路,当高功率信号出现时,BR101可迅速进入导通状态将能量旁路至地,防止后级敏感元件受损。
此外,BR101具有良好的温度稳定性和长期可靠性。其工作结温可达+125°C,且在-65°C的低温环境下仍能保持正常功能,适应极端环境下的电子系统需求。制造工艺采用成熟的半导体平面技术,确保批次间一致性高,适合自动化贴片生产。该器件还具备一定的抗静电能力,降低了在装配过程中的损坏风险。综合来看,BR101凭借其小型化封装、高性能指标以及广泛的适用性,成为现代高频电子系统中不可或缺的基础元件之一。
BR101常用于射频开关模块、微波通信设备、雷达系统前端保护电路、便携式无线终端、测试与测量仪器中的信号路由控制等场景。也适用于需要高频整流或小信号检波的电路设计。
BAR50-02W, PMEG1020EA, BAP64-04