时间：2025/9/1 11:58:32
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IS43LR32400F-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。这款芯片属于移动型DRAM（mDRAM）系列，专为需要高效能与低功耗特性的便携式设备设计。IS43LR32400F-6BLI 具有32M x 40位的存储容量，工作电压范围为1.7V至3.3V，适用于多种便携式电子设备，如移动电话、PDA（个人数字助理）和嵌入式系统等。
容量：32M x 40位
电压：1.7V - 3.3V
封装类型：TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据速率：166MHz
接口类型：并行
存储类型：DRAM
时钟频率：166MHz
存取时间：5.4ns
IS43LR32400F-6BLI 具备高性能与低功耗的特点，使其非常适合于对电池寿命敏感的应用场景。
其低电压操作范围（1.7V至3.3V）不仅有助于降低功耗，还提高了设计的灵活性。
该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于保持数据的完整性，同时减少功耗。
此外，IS43LR32400F-6BLI 提供了多种封装选项，其中TSOP封装有助于节省PCB空间，适用于紧凑型设计。
工作温度范围宽广（-40°C至+85°C），确保了在各种环境条件下的稳定运行。
其166MHz的数据速率和5.4ns的存取时间提供了快速的数据访问能力，适用于高性能应用。
IS43LR32400F-6BLI 广泛应用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和个人数字助理（PDA）。
它也适用于嵌入式系统和工业控制设备，特别是在需要高性能存储解决方案且对功耗有严格要求的场景中。
由于其宽广的工作温度范围，该芯片同样适用于汽车电子系统和户外设备。
此外，IS43LR32400F-6BLI 还可用于通信设备和网络设备，提供可靠的存储支持。
其低功耗和高性能特性使其成为需要长时间运行且对电池寿命有要求的应用的理想选择。
IS43SR32400F-6BLI, IS43LR32400F-6BLL
