产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3P
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极击穿电压: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: +/- 25 V
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
功率耗散: 339 W
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150℃
最小工作温度: - 55℃
安装风格: Through Hole