HMJ212KB7102KDHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关特性,从而提高效率并减少能量损耗。其设计适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
型号:HMJ212KB7102KDHT
类型:N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):1200V
连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):71mΩ
栅极电荷(Qg):130nC
总功耗(Ptot):300W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装形式:D2PAK
HMJ212KB7102KDHT具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))为71mΩ,可有效降低功率损耗。
2. 支持高达1200V的漏源极击穿电压(Vds),适用于高压环境下的应用。
3. 快速开关速度,能够显著减少开关损耗,提升整体系统效率。
4. 高电流承载能力,连续漏极电流(Id)可达25A,满足大功率需求。
5. 具备优异的热性能,能够承受较高的结温,确保在极端条件下的稳定性。
6. 封装形式为D2PAK,易于安装和散热设计,非常适合工业及汽车级应用。
这款芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动和控制电路,用于实现高效的功率转换。
3. 新能源逆变器和光伏系统中的功率开关。
4. 工业自动化设备中的功率调节和保护模块。
5. 汽车电子中的DC-DC转换器以及启停系统的功率管理部分。
HMJ212KB7102KDHTS, HMJ212KB7102KDHTR