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HMJ212KB7102KDHT 发布时间 时间:2025/7/1 22:16:23 查看 阅读:6

HMJ212KB7102KDHT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关特性,从而提高效率并减少能量损耗。其设计适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。

参数

型号:HMJ212KB7102KDHT
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):1200V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):71mΩ
  栅极电荷(Qg):130nC
  总功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:D2PAK

特性

HMJ212KB7102KDHT具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))为71mΩ,可有效降低功率损耗。
  2. 支持高达1200V的漏源极击穿电压(Vds),适用于高压环境下的应用。
  3. 快速开关速度,能够显著减少开关损耗,提升整体系统效率。
  4. 高电流承载能力,连续漏极电流(Id)可达25A,满足大功率需求。
  5. 具备优异的热性能,能够承受较高的结温,确保在极端条件下的稳定性。
  6. 封装形式为D2PAK,易于安装和散热设计,非常适合工业及汽车级应用。

应用

这款芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动和控制电路,用于实现高效的功率转换。
  3. 新能源逆变器和光伏系统中的功率开关。
  4. 工业自动化设备中的功率调节和保护模块。
  5. 汽车电子中的DC-DC转换器以及启停系统的功率管理部分。

替代型号

HMJ212KB7102KDHTS, HMJ212KB7102KDHTR

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HMJ212KB7102KDHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)4,000 : ¥0.56446卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容1000 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级,Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-