时间：2025/8/14 22:07:36
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MB110T/R 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。MB110T/R 采用小型表面贴装封装（SOT-223），适合高密度 PCB 布局。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：150mA（连续）
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-223
MB110T/R 具有较低的导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，便于与多种驱动电路兼容。
此外，MB110T/R 采用了 ROHM 的先进沟槽栅极技术，显著提升了器件的导电性能和热稳定性，从而增强了在高温环境下的可靠性。
该 MOSFET 还具备良好的抗静电能力（ESD）和短路耐受能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。SOT-223 封装不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，适用于空间受限的便携式设备。
MB110T/R 在制造过程中遵循严格的 RoHS 标准，无铅、无卤素，符合现代电子产品环保要求。其高可靠性和小尺寸设计使其成为各类小型电源模块、电池管理系统和工业控制电路中的理想选择。
MB110T/R 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效、低功耗开关控制的场景中。典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、电池充电电路、负载开关控制、电源管理系统、LED 驱动电路以及便携式消费电子产品中的功率开关。
此外，该器件也常用于工业自动化设备、传感器模块和智能电表中，作为电源管理或信号切换的开关元件。由于其良好的热稳定性和较高的集成度，MB110T/R 也适用于需要长时间稳定运行的嵌入式系统和物联网设备。
2N7002, BSS138, 2N3904
