时间：2025/8/24 18:22:05
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FFSH40120ADN_F155是一款由ONSEMI（安森美半导体）设计制造的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件基于宽禁带半导体技术，具有优异的电学性能和热性能，广泛应用于高效率、高功率密度的电力电子系统中。FFSH40120ADN_F155采用了先进的肖特基势垒结构，具备零反向恢复电荷、低正向压降和高阻断电压能力，使其在高频开关应用中表现尤为出色。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大反向电压：1200V
额定正向电流：40A
正向压降（典型值）：1.55V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
反向漏电流（最大值）：100μA（@125°C）
安装类型：通孔
FFSH40120ADN_F155采用了先进的碳化硅材料技术，使其具备优异的导电性和热导率。该器件的零反向恢复电荷特性极大地降低了开关损耗，提高了系统效率。此外，其高温稳定性良好，可以在恶劣的工作环境下稳定运行。与传统的硅基肖特基二极管相比，FFSH40120ADN_F155在高频开关应用中具有更小的导通损耗和开关损耗，适用于高功率密度电源系统的设计。其低正向压降（典型值为1.55V）也有助于减少导通损耗，提高整体能效。该器件还具备出色的短路和过载能力，增强了系统的可靠性。
FFSH40120ADN_F155广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、储能系统以及电机驱动器。在这些应用中，该器件能够显著提升系统的开关频率和效率，同时减少散热需求，从而降低整体系统成本。此外，该器件还可用于高频整流器、DC-DC转换器以及各类功率因数校正（PFC）电路。
FFSH40120ADN, FFSH40120ADN-F155
