FFSH40120ADN_F155是一款由ONSEMI(安森美半导体)设计制造的高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管。该器件基于宽禁带半导体技术,具有优异的电学性能和热性能,广泛应用于高效率、高功率密度的电力电子系统中。FFSH40120ADN_F155采用了先进的肖特基势垒结构,具备零反向恢复电荷、低正向压降和高阻断电压能力,使其在高频开关应用中表现尤为出色。
类型:碳化硅肖特基二极管
最大反向电压:1200V
额定正向电流:40A
正向压降(典型值):1.55V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-247
反向漏电流(最大值):100μA(@125°C)
安装类型:通孔
FFSH40120ADN_F155采用了先进的碳化硅材料技术,使其具备优异的导电性和热导率。该器件的零反向恢复电荷特性极大地降低了开关损耗,提高了系统效率。此外,其高温稳定性良好,可以在恶劣的工作环境下稳定运行。与传统的硅基肖特基二极管相比,FFSH40120ADN_F155在高频开关应用中具有更小的导通损耗和开关损耗,适用于高功率密度电源系统的设计。其低正向压降(典型值为1.55V)也有助于减少导通损耗,提高整体能效。该器件还具备出色的短路和过载能力,增强了系统的可靠性。
FFSH40120ADN_F155广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子设备中,如工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、储能系统以及电机驱动器。在这些应用中,该器件能够显著提升系统的开关频率和效率,同时减少散热需求,从而降低整体系统成本。此外,该器件还可用于高频整流器、DC-DC转换器以及各类功率因数校正(PFC)电路。
FFSH40120ADN, FFSH40120ADN-F155