FFM101 时间：2025/8/14 1:53:04 阅读：10

FFM101 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用，如电源转换器、马达控制器、负载开关以及电池管理系统等。FFM101 具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，使其适用于高频开关应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　漏极电流（ID）：4.7A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.055Ω（在 VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

FFM101 具备多项优异特性，包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高效率。其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性，使其非常适合用于高频开关应用，从而减小外部组件的尺寸并提高整体系统效率。
　　此外，FFM101 采用 SOT-23 小型封装形式，节省了 PCB 空间，适合高密度设计。该器件的高可靠性以及良好的热性能，使其能够在严苛的环境中稳定工作。
　　FFM101 还具有良好的线性工作区，适合用于线性稳压器或模拟信号调节电路。同时，其过载和短路耐受能力也较强，有助于提升系统的稳定性和安全性。

应用

FFM101 主要用于各类电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及马达驱动电路。由于其小型封装和高效能特性，它也广泛应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
　　此外，FFM101 可用于工业控制设备、电源适配器、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统中的低电压功率开关应用。由于其出色的热稳定性和高可靠性，也适用于需要长时间稳定运行的嵌入式系统和工业自动化设备。