IRF7832ZTRPBF 时间：2025/5/13 11:44:56 阅读：5

IRF7832ZTRPBF 是一款 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用先进的 Z 极低电感封装技术，专门设计用于高频开关应用和需要高效率的场景。其超低导通电阻和优化的栅极电荷使其非常适合于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率转换应用。
　　该 MOSFET 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)）和高工作电压能力，同时具备出色的热性能，从而能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：31A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　总电容：142pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7832ZTRPBF 具有以下显著特性：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)），仅为 2.2mΩ，有助于降低传导损耗。
　　2. 高额定电流能力，连续漏极电流可达 31A。
　　3. 采用 Z 极封装，具有更低的寄生电感，适合高频开关应用。
　　4. 优化的栅极电荷 (Qg)，可以减少开关损耗。
　　5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃)，适用于严苛环境下的操作。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　7. 提供卓越的热性能和可靠性，确保长时间稳定运行。

应用

IRF7832ZTRPBF 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 同步整流电路中的高效功率转换。
　　2. 开关电源（SMPS）中作为主开关或辅助开关元件。
　　3. DC-DC 转换器的设计，尤其是大电流输出场景。
　　4. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　5. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节模块。
　　7. 高效照明系统的镇流器和调光控制器。