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FFA20U40DN 发布时间 时间:2025/5/30 0:48:42 查看 阅读:18

FFA20U40DN 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于高效率、高频率开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低系统能耗并提高整体性能。
  FFA20U40DN 的设计使其特别适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。其封装形式通常为 DPAK 或类似的表面贴装类型,便于在现代电路板上的自动化生产。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):5.5mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:DPAK

特性

FFA20U40DN 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,可支持高频操作,非常适合开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 较低的栅极电荷,减少了驱动损耗。
  5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场。

应用

FFA20U40DN 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统中的充放电保护
  5. 负载开关
  6. 各种工业和消费类电子产品的功率管理模块
  由于其高效能和高可靠性,这款 MOSFET 成为了许多设计工程师的首选元件。

替代型号

FFA20N40D, IRFZ44N, FDP18N40

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