时间：2025/6/13 18:34:15
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NTMFS4C029NT1G 是一款来自安森美（ON Semiconductor）的N沟道增强型MOSFET，采用先进的功率半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适用于高效能功率转换和开关应用。其封装形式为 LFPAK56 (Power-SO8)，能够提供卓越的散热特性和电气性能。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：1.1mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：2330pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
NTMFS4C029NT1G 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率设计。
4. 优异的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 小型化封装，节省电路板空间同时保持良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛应用于各类功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC 转换器和降压/升压拓扑结构。
4. 工业设备中的负载切换。
5. 通信系统中的高效功率管理。
6. 汽车电子中的各种开关和保护功能。
NTMFS4C029T1G, IRFZ44N, FDP55N06L
