时间：2025/6/19 10:47:53
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FEE4E20180070R100JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升系统效率并降低功耗。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，采用了先进的半导体制造工艺，在高频应用中表现出色，同时具备良好的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下显著减少功率损耗。
2. 高频性能优异，适合用于高效的开关电源设计。
3. 内置静电保护功能，增强了器件的抗干扰能力。
4. 热阻较低，有助于提高散热性能，延长使用寿命。
5. 具备快速恢复能力，适合高速开关场景。
6. 可靠性经过严格测试，适用于工业级和汽车级应用环境。
1. 开关电源中的功率转换模块。
2. DC-DC 转换器的核心元件，用于提升能量转换效率。
3. 电机驱动电路，特别是在电动车和工业自动化领域。
4. 充电器及适配器中的主功率开关元件。
5. 各类需要高效功率管理的电子设备，如不间断电源（UPS）等。
FDP5599,
FAN7182,
IRLR7846,
Si7864DP
