时间：2025/6/19 10:47:18
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FEE4E20090500R101JT 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沛体 MOSFET。该型号适用于高效率开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理模块。
这款器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和快速开关特性，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：169A
导通电阻：0.75mΩ
栅极电荷：135nC
总电容：2820pF
工作结温范围：-55°C to 175°C
FEE4E20090500R101JT 提供了卓越的性能，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，可减少开关损耗。
4. 紧凑的封装设计，能够节省电路板空间。
5. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
这些特性使得此 MOSFET 在需要高效能和高电流承载能力的应用中表现优异。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的大功率电机驱动。
2. 高效 DC-DC 转换器和降压转换器。
3. 不间断电源 (UPS) 系统。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 电动汽车充电基础设施中的功率控制。
FEE4E20090500R101JT 的高性能和可靠性使其成为众多高要求场景的理想选择。
FCH4E200N04LS, IRFH4468TRPBF, STP170N04FD
