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GA1210Y123KXEAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 9:00:38 查看 阅读:7

GA1210Y123KXEAR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和高线性度的特点,适用于无线通信系统中的信号放大功能。
  其设计优化了输出功率和效率,在高频段表现出色,并且能够支持多种调制模式。同时,它还集成了多种保护机制,如过温保护和负载失配保护,确保在复杂环境下的稳定运行。

参数

型号:GA1210Y123KXEAR31G
  类型:功率放大器
  工作频率范围:1.8 GHz - 2.2 GHz
  输出功率(P1dB):27 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:5 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y123KXEAR31G 具有以下显著特性:
  1. 高效率:在高频段下仍然保持较高的能量转换效率,降低功耗。
  2. 稳定性能:内置温度补偿电路,减少因温度变化导致的性能波动。
  3. 易于集成:采用小型化封装,便于在紧凑型设备中使用。
  4. 多重保护:包括过流、过温及短路保护功能,增强系统的可靠性。
  5. 宽带兼容性:支持多个频段的操作需求,适应性强。
  6. 线性度优秀:适合现代通信系统对复杂调制信号的需求。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:提供稳定的信号放大能力,保障数据传输质量。
  2. 射频模块:用于各类射频前端设备,如路由器、中继站等。
  3. 移动终端:可集成到智能手机或其他便携式电子设备中。
  4. 工业自动化:为工业级无线传感器网络提供可靠的支持。
  5. 医疗设备:适用于需要精确射频控制的医疗器械中。

替代型号

GA1210Y123KXEAR32G
  GA1210Y123KXEAR33G

GA1210Y123KXEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-